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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2019-12-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113050366B
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开
摘要：一种光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，光学邻近矫正方法包括：提供芯片图形区，包括多种主图形；在主图形周围提供对应的预设辅助图形，预设辅助图形具有预设宽度，预设辅助图形与对应的主图形之间具有预设距离，预设距离和预设宽度构成与主图形相对应的配置参数；获得每一主图形的配置参数，多种主图形的对应的多个配置参数用于构成配置矢量，配置矢量与最佳焦平面偏移量具有对应关系；基于配置矢量与最佳焦平面偏移量的对应关系，对配置矢量进行优化处理，获得与最小的最佳焦平面偏移量对应的优化配置矢量；根据优化配置矢量对应的多个配置参数，在主图形周围设置辅助图形。本发明实施例有利于增大光刻工艺的共同工艺窗口。
主权项：1.一种光学邻近矫正方法，其特征在于，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括多种主图形；在所述主图形周围提供对应的预设辅助图形，所述预设辅助图形具有预设宽度，所述预设辅助图形与对应的主图形之间具有预设距离，所述预设距离和预设宽度构成与主图形相对应的配置参数；获得每一所述主图形的配置参数，多种主图形对应的多个配置参数用于构成配置矢量，所述配置矢量与最佳焦平面偏移量具有对应关系，其中，所述最佳焦平面偏移量为，对于多种主图形分别对应多个最佳焦平面，多个最佳焦平面数值中的最大值和最小值的差值为多种主图形之间的最佳焦平面偏移量；基于所述配置矢量与所述最佳焦平面偏移量的对应关系，对所述配置矢量进行优化处理，获得与最小的最佳焦平面偏移量对应的优化配置矢量；根据所述优化配置矢量对应的多个配置参数，在所述主图形周围设置辅助图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质
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