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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2020-12-25
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112687513B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01J37/305;H01L21/67
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.04.20#公开
摘要：本发明提供一种半导体加工腔室，包括腔体和设置在腔体中的可升降的基座和内衬组件。内衬组件包括上内衬和下内衬，其中，上内衬环绕设置在腔体的侧壁内侧；下内衬固定环绕设置在基座的外周，下内衬中设置有导气通道，导气通道包括均沿下内衬的周向环绕的第一环形通气口和第二环形通气口，且第二环形通气口的内径小于第一环形通气口的内径；下内衬用于在基座位于工艺位置时，下内衬与上内衬围成第一空间，且下内衬与腔体之间的区域为第二空间，基座位于第一空间内，升降机构位于第二空间内；第一环形通气口和第二环形通气口分别与第一空间和第二空间连通。本发明提供的半导体加工腔室，其可以提高工艺气体的分布均匀性，从而提高产品质量。
主权项：1.一种半导体加工腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的可升降的基座和内衬组件，其特征在于，所述内衬组件包括上内衬和下内衬，其中，所述上内衬环绕设置在所述腔体的侧壁内侧；所述下内衬环绕设置在所述基座的外周，且与所述基座固定设置，所述下内衬中设置有导气通道，所述导气通道用作迷宫式通道，包括均沿所述下内衬的周向环绕的第一环形通气口和第二环形通气口，且所述第二环形通气口的内径小于所述第一环形通气口的内径；所述下内衬用于在所述基座位于工艺位置时，所述下内衬与所述上内衬围成第一空间，且所述下内衬与所述腔体之间的区域为第二空间，所述基座位于所述第一空间内；所述第一环形通气口和所述第二环形通气口分别与所述第一空间和所述第二空间连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工腔室
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