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申请/专利权人：南京矽力微电子技术有限公司
申请日：2021-10-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114050180B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.03.04#实质审查的生效;2022.02.15#公开
摘要：本申请公开了一种对称的可控硅结构及其制造方法，所述可控硅结构包括第一掺杂类型的半导体基底；位于所述半导体基底第一区域中的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第一阱区；位于所述第一阱区中的具有第一掺杂类型的至少一个第一掺杂区；位于所述第一阱区中的具有第二掺杂类型的至少一个第二掺杂区；以及位于所述半导体基底第二区域中的具有第二掺杂类型的第二阱区；其中，所述第一掺杂区，所述第一阱区，所述半导体基底以及所述第二阱区形成第一可控硅器件。本申请公开的可控硅结构不仅减小了可控硅结构的电容，还降低了器件的箝位电压和漏电。
主权项：1.一种对称的可控硅结构，包括：第一掺杂类型的半导体基底；位于所述半导体基底第一区域中的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第一阱区；位于所述第一阱区中的具有第一掺杂类型的至少一个第一掺杂区；位于所述第一阱区中的具有第二掺杂类型的至少一个第二掺杂区；以及位于所述半导体基底第二区域中的具有第二掺杂类型的第二阱区；其中，所述第一掺杂区，所述第一阱区，所述半导体基底以及所述第二阱区形成第一可控硅器件；还包括：位于所述第二阱区中的具有第一掺杂类型的至少一个第三掺杂区；以及位于所述第二阱区中的具有第二掺杂类型的至少一个第四掺杂区；其中，所述第三掺杂区，所述第二阱区，所述半导体基底以及所述第一阱区形成第二可控硅器件；还包括：位于所述半导体基底的第一阱区和第二阱区之间的低阻部件；所述低阻部件包括从所述半导体基底的上表面延伸至其内部的沟槽，以及填充所述沟槽的多晶材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京矽力微电子技术有限公司 对称的可控硅结构及其制造方法
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