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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2021-12-03
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114171364B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室、匹配器、高频电源和低频电源，工艺腔室包括腔体、基座、喷淋件和同轴接地组件，匹配器与基座连接；喷淋件为导电结构件，喷淋件与腔体之间绝缘；同轴接地组件设置于喷淋件背离基座的一侧，同轴接地组件包括屏蔽件、隔离件和接地件，屏蔽件和接地件均为导电结构件，隔离件为介电结构件；屏蔽件设置于腔体的顶部，屏蔽件接地；屏蔽件内具有容纳腔，接地件设置于容纳腔内，接地件的两端分别与喷淋件和容纳腔的顶部电性连接；隔离件设置于接地件的外壁和容纳腔的内壁之间。上述半导体工艺设备能够减缓甚至消除喷淋件上沉积杂质的情况，进而防止杂质落在晶圆表面，保证晶圆具有较高的良品率。
主权项：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、匹配器、高频电源和低频电源，所述高频电源和所述低频电源通过所述匹配器向所述工艺腔室内分别馈入不同频率的射频；所述工艺腔室包括腔体、基座、喷淋件和同轴接地组件，所述基座和所述喷淋件分别设置于所述腔体中的顶部和底部，所述匹配器与所述基座连接；所述喷淋件为导电结构件，所述喷淋件与所述腔体之间绝缘；所述同轴接地组件设置于所述喷淋件背离所述基座的一侧，所述同轴接地组件包括屏蔽件、隔离件和接地件，所述屏蔽件和所述接地件均为导电结构件，所述隔离件为介电结构件；所述屏蔽件设置于所述腔体的顶部，所述屏蔽件接地；所述屏蔽件内具有容纳腔，所述接地件设置于所述容纳腔内，所述接地件的两端分别与所述喷淋件和所述容纳腔的顶部电性连接；所述隔离件设置于所述接地件的外壁和所述容纳腔的内壁之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
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