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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日：2021-12-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114300570B
主分类号：H01L31/115
分类号：H01L31/115;H01L31/0352;H01L31/18;G01R31/26
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开
摘要：本发明提供一种探测器及制造方法，所述探测器包括探测单元，每个探测单元包括：第一P型掺杂层；形成于第一P型掺杂层的正面的第一N型掺杂层；环绕第一N型掺杂层的P型隔离层；形成于第一N型掺杂层上的第二N型掺杂层以及第二P型掺杂层；第一N型掺杂层和第二N型掺杂层作为探测单元的N端，第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和P型隔离层作为探测单元的P端。在本发明中，包括探测单元，再利用探测单元以提高电子探测的探测速度和探测灵敏度，并以此实现低能高速电子的探测，而且，上述电子探测器可兼容于现有的CMOS工艺，有利于提高产品良率，且制造成本较低。
主权项：1.一种探测器，用于空间低能高速电子探测，其特征在于，包括探测单元，所述探测单元包括：第一P型掺杂层；形成于所述第一P型掺杂层的正面的第一N型掺杂层；环绕所述第一N型掺杂层的P型隔离层；形成于所述第一N型掺杂层上的第二N型掺杂层以及第二P型掺杂层，所述第二P型掺杂层环绕所述第二N型掺杂层，所述第二P型掺杂层的掺杂浓度大于所述第一P型掺杂层的掺杂浓度，所述第二N型掺杂层的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂层的掺杂浓度，所述第一N型掺杂层的掺杂浓度小于2×1015cm3，所述第一P型掺杂层的掺杂浓度为1×1015cm3~1×1016cm3；形成于所述第一N型掺杂层上的P型缓冲层，所述P型缓冲层位于所述第二P型掺杂层与所述第二N型掺杂层之间，所述P型缓冲层的掺杂浓度介于所述第一N型掺杂层的掺杂浓度与所述第二P型掺杂层的掺杂浓度之间；所述第一N型掺杂层和第二N型掺杂层作为所述探测单元的N端，所述第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和P型隔离层作为所述探测单元的P端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 探测器及制造方法
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