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申请/专利权人：桂林理工大学
申请日：2023-09-04
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN117049876B
主分类号：C04B35/50
分类号：C04B35/50
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开
摘要：本发明公开了一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料及其制备方法，具体材料为DyxErxYbxLuxMe1‑x2O3‑δMe=Zr4+、Mg2+、Ca2+、Ba2+，制备方法是按照化学式计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在1300°C下预烧12小时。再研磨后，在1600°C下烧制12小时，得到致密的陶瓷片。本发明将多种稀土离子和异价离子进行高熵化设计，结合得到稀土氧化物基高熵氧离子导体材料，制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，即使在高温800℃、湿润CO2气氛下保温72h也未发生相变，在氧化物燃料电池电解质方面，具有广泛的应用前景。
主权项：1.一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料DyxErxYbxLuxMe1-x2O3-δMe=Zr4+、Mg2+、Ca2+、Ba2+陶瓷的制备方法，具体制备步骤为：（1）将纯度为质量百分比99%的Dy2O3、Er2O3、Yb2O3、Lu2O3、ZrO2、MgO、CaCO3以及BaCO3原料按照Dy0.2Er0.2Yb0.2Lu0.2Zr0.22O3.2、Dy0.2375Er0.2375Yb0.2375Lu0.2375Mg0.052O2.95、Dy0.2375Er0.2375Yb0.2375Lu0.2375Ca0.052O2.95、Dy0.225Er0.225Yb0.225Lu0.225Ba0.12O2.9化学计量比组成称量配料；按制得4g的产物进行准备，将称好的原料放置于研钵中，加适量的无水乙醇，反复研磨一个小时，在红外灯下烘干；（2）将烘干后的粉末分别称取4g用Φ20模具压片，放入高温烧结马弗炉中，在1300°C下预烧12小时；再研磨后，称取0.5g用Φ10模具压片，在1600°C下烧制12小时，样品以5℃min的速度升温和降温，得到致密的陶瓷片；（3）将步骤（2）制得陶瓷片砸碎，然后通过XRD、SEM-EDS测试得到单一物相，在800℃和湿润CO2气氛下分别保温24h、48h测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林理工大学 一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料及其制备方法
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