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申请/专利权人：克罗米斯有限公司
申请日：2018-03-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN110582852B
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47
优先权：["20170329 US 62/478,483","20180326 US 15/936,305"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2019.12.17#公开
摘要：一种垂直型肖特基二极管，包括：欧姆接触；第一外延N型氮化镓层，其物理接触所述欧姆接触并且具有第一掺杂浓度，以及第二外延N型氮化镓层，其物理接触所述第一外延N型氮化镓层并且具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度。该垂直型肖特基二极管还包括：第一边缘终端区域和第二边缘终端区域，其耦合至所述第二外延N型氮化镓层并且由所述第二外延N型氮化镓层的一部分将彼此分离；以及肖特基接触，其耦合至所述第二外延N型氮化镓层的一部分并且耦合至所述第一边缘终端区域和所述第二边缘终端区域。
主权项：1.一种形成垂直型肖特基二极管的方法，所述方法包括：提供工程化衬底，所述工程化衬底包括：多晶陶瓷芯；封装所述多晶陶瓷芯的阻挡层；耦合至所述阻挡层的键合层；以及耦合至所述键合层的实质单晶硅层；形成第一外延N型氮化镓层，所述第一外延N型氮化镓层耦合至所述实质单晶硅层并且具有第一掺杂浓度；形成第二外延N型氮化镓层，所述第二外延N型氮化镓层耦合至所述第一外延N型氮化镓层并且具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度；形成第一边缘终端区域和第二边缘终端区域，所述第一边缘终端区域和第二边缘终端区域耦合至所述第二外延N型氮化镓层并且由所述第二外延N型氮化镓层的一部分将彼此分离；形成耦合至所述第二外延N型氮化镓层的所述部分并且耦合至所述第一边缘终端区域和所述第二边缘终端区域的肖特基接触；移除所述工程化衬底，以暴露所述第一外延N型氮化镓层的后表面；以及形成耦合至所述第一外延N型氮化镓层的所述后表面的欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 克罗米斯有限公司 垂直型氮化镓肖特基二极管
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