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申请/专利权人：赛博光学公司
申请日：2019-11-12
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113016057B
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L21/67
优先权：["20181114 US 62/767,251","20191108 US 16/678,278"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开
摘要：一种晶片状半导体传感器100,200，包括：晶片状基部，所述晶片状基部由多层112,406,110,404化学硬化玻璃形成；以及电子模块104,204，所述电子模块被安装至所述晶片状基部中的凹陷槽腔部106且包含传感器217。
主权项：1.一种晶片状半导体传感器，包括：晶片状基部，所述晶片状基部由多层化学硬化玻璃形成，所述晶片状基部中限定有凹陷槽腔部；和电子模块，所述电子模块被联接至所述晶片状基部的所述凹陷槽腔部且包含传感器，其中，所述晶片状基部包括上部环形层和下部层，所述上部环形层和所述下部层两者都是由化学硬化玻璃形成，和其中，所述下部层是平坦的以允许有效的真空卡紧，使得所述晶片状基部被保持在适当位置，并且所述上部环形层具有限定所述电子模块位于的凹陷槽腔部的内径。
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