龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：硅电子股份公司
申请日：2021-01-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN115038823B
主分类号：C30B15/10
分类号：C30B15/10;C03C17/00;C30B35/00;C03B19/06
优先权：["20200203 DE 102020000701.5"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.09#公开
摘要：用于根据切克劳斯基法提拉硅单晶的熔凝石英坩埚，其具有内侧，在该内侧上具有形成表面的熔凝石英的内层，所述内层提供有结晶促进剂，在指定用途在晶体提拉中加热所述熔凝石英坩埚时，所述结晶促进剂使熔凝石英结晶，以形成β‑方晶石，其特征在于，在距所述表面的距离d处，合成获得的SiO2的浓度C大于距所述表面的距离d2处合成获得的SiO2的浓度，其中d2大于d。
主权项：1.用于根据切克劳斯基技术提拉硅单晶的熔凝石英坩埚，其具有内侧，在该内侧上具有形成表面的熔凝石英的内层，所述内层提供有结晶促进剂，在其指定用途范围内在晶体提拉中加热所述熔凝石英坩埚时，所述结晶促进剂使熔凝石英结晶，以形成β-方晶石，其特征在于，在距所述表面的距离d处，合成获得的SiO2的浓度C大于距所述表面的距离d2处合成获得的SiO2的浓度，其中d2大于d，特征在于，合成获得的SiO2的浓度C作为距离d的函数符合以下关系：C[％]＝100-d[mm]–0.25x30以及C[％]＝100-d[mm]+0.25x80。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅电子股份公司 用于制造硅晶体的石英玻璃坩埚以及用于制造石英玻璃坩埚的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号