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申请/专利权人：华南理工大学
申请日：2019-07-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN110571273B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;G03F7/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.01.07#实质审查的生效;2019.12.13#公开
摘要：本发明公开了一种源极、漏极和栅极同步制备的GaNHEMT器件及方法，所述器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上表面的两端连接源极和漏极，源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层，绝缘层的上表面连接栅极，源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触，源极和漏极的高度相等，且高于栅极的高度。本发明提供的制备方法克服现有制备工艺需要分两步制备源漏极和栅极的缺点，不存在传统光刻技术的光衍射效应，可快速地制造出尺寸精度高的微纳图案。而且本方法无需对准和二次光刻步骤，可实现非常精确的尺寸控制，器件的线宽可低至50nm，操作步骤简单，适用于工业生产。
主权项：1.同步制备GaNHEMT器件的源、漏和栅极的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）取晶圆，所述晶圆包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上沉积一层绝缘层；（2）在绝缘层上涂覆一层负性光刻胶；（3）通过纳米压印技术在负性光刻胶的上表面同时压印出源极、漏极和栅极图案，经254~365nm紫外光照射使负性光刻胶固化；（4）通过刻蚀工艺将源极和漏极的图案底部下的负性光刻胶和绝缘层去除，暴露出势垒层，实现源极和漏极图案从负性光刻胶到晶圆的转移；（5）通过刻蚀工艺将栅极的图案底部下的负性光刻胶去除，暴露出绝缘层，实现栅极图案从负性光刻胶到晶圆的转移；（6）在负性光刻胶、步骤（4）暴露出的势垒层和步骤（5）暴露出的绝缘层的上表面蒸镀金属层，蒸镀完成后在去胶液中除去负性光刻胶和负性光刻胶上表面的金属层，步骤（4）暴露出的势垒层上表面的金属层相应形成源极和漏极；步骤（5）暴露出的绝缘层上表面的金属层形成栅极；（7）通过热退火使源极和漏极与沟道层形成欧姆接触；所述GaNHEMT器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上表面的两端连接源极和漏极，源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层，绝缘层的上表面连接栅极，源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触，源极和漏极的高度相等，且高于栅极的高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 源、漏和栅极同步制备的GaN HEMT器件及方法
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