申请/专利权人：昕原半导体(上海)有限公司

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN112309466B

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00

优先权：["20190730 US 62/880,246"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.04.29#专利申请权的转移;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：本发明涉及具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构。半导体设备包括存储设备，分别包括与控制晶体管串联的选择器晶体管和存储单元，其中该控制晶体管连接到该存储单元。半导体设备的控制线沿第一方向延伸，并且第一控制线连接到第一存储设备控制晶体管和第二存储设备控制晶体管。字线沿第一方向延伸，并且第一字线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。位线在第二方向上延伸，第一位线连接到第一存储设备存储单元，第二位线连接到第二存储设备存储单元。源极线在第二方向上延伸，并且第一源极线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。

主权项：1.一种半导体设备，包括：一半导体衬底；多个存储设备，设置在该半导体衬底上，其中，该多个存储设备的各存储设备包括选择器晶体管、控制晶体管和双端存储单元，其中，该选择器晶体管连接至该控制晶体管，其中，该控制晶体管连接至该双端存储单元的第一端子，其中，该多个存储设备包括第一存储设备和第二存储设备；多个控制线，设置在该半导体衬底上并且连接至该多个存储设备，其中，该多个控制线朝第一方向延伸，其中，该多个控制线包括第一控制线，以及其中，该第一控制线连接至该第一存储设备的控制晶体管以及该第二存储设备的控制晶体管；多个字线，设置在该半导体衬底上并且连接至该多个存储设备，其中，该多个字线朝该第一方向延伸，其中，该多个字线包括第一字线，以及其中，该第一控制线连接至该第一存储设备的选择器晶体管以及该第二存储设备的选择器晶体管；多个位线，设置在该半导体衬底上并且连接至该多个存储设备，其中，该多个位线朝第二方向延伸，其中，该第一方向不同于该第二方向，其中，该多个位线包括第一位线和第二位线，其中，该第一位线连接至该第一存储设备中的双端存储单元的第二端子，以及其中，该第二位线连接至该第二存储设备中的双端存储单元的第二端子；以及多个源极线，设置在该半导体衬底上并且连接至该多个存储设备，其中，该多个源极线朝该第二方向延伸，其中，该多个源极线包括第一源极线，以及其中，该第一源极线连接至该第一存储设备的该选择器晶体管以及该第二存储设备的该选择器晶体管。

全文数据：

权利要求：

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