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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2020-10-30
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112230509B
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开
摘要：本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。
主权项：1.一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，包括：S1：提供一OPC图形，所述OPC图形内包括第一区域、第二区域及热点标记区域；执行步骤S2，S2：将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；执行步骤S3，S3：将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；执行步骤S4，S4：沿垂直所述标记线的方向，将所述标记线向两侧各拓展第二延展值，以形成标记图形，执行步骤S5，S5：所述第一区域和所述第二区域中与所述标记图形相交的边线为扩展线段，将所述扩展线段相向移动第一设定值，更新所述OPC图形；执行步骤S6，S6：对更新后的OPC图形进行光学邻近修正验证，获取未通过光学邻近修正验证的热点，若未通过光学邻近修正验证的热点的数量小于阈值时，或者所述光学邻近修正的循环次数达到第二设定值，则结束所述光学邻近修正，并输出更新后的OPC图形，若未通过光学邻近修正验证的热点大于或等于所述阈值，则执行步骤S2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 光刻工艺热点的光学邻近修正的方法
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