申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2021-11-17

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114078685B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67;B08B7/00;B08B13/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。

主权项：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室，具有工艺腔，所述工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，所述过滤结构包括第一过滤部，所述第一过滤部设置在所述发生腔与所述加工腔之间，且具有用于连通所述发生腔和所述加工腔的多个第一通孔，所述第一过滤部由导电材料制成，所述直流电源与所述第一过滤部电连接，且通过所述直流电源向所述第一过滤部上施加负电压，当所述等离子体经过所述第一过滤部时，通过多个所述第一通孔对所述等离子体进行过滤，且在所述负电压的作用下所述等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入所述加工腔的所述等离子体中的离子数目；所述第一过滤部包括多个子过滤部，各所述子过滤部上具有多个均匀分布的所述第一通孔，多个所述子过滤部中的一个呈板状，其余的所述子过滤部呈环状，呈环状的多个所述子过滤部沿呈板状的所述子过滤部的径向由内向外依次设置；所述过滤结构还包括第五绝缘部，所述第五绝缘部夹设在相邻的所述子过滤部之间，该相邻的所述子过滤部通过所述第五绝缘部连接固定，且两者之间通过所述第五绝缘部进行电隔离，通过所述直流电源向各所述子过滤部上施加的所述负电压可独立进行调整，通过调整所述负电压的电压值控制所述等离子体中离子在各所述子过滤部上发生复合的数目，以此调整过滤后进入所述加工腔的所述等离子体中的离子数目。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备

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