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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)
申请日：2022-04-13
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114924408B
主分类号：G02B27/00
分类号：G02B27/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.09.06#实质审查的生效;2022.08.19#公开
摘要：本发明提供了一种超宽带的光功率分束器的设计方法及设计系统，该设计方法包括如下步骤：确定待设计片上光子器件的功能、设计目标以及外观轮廓的待设计区域；将待设计区域分为波导区域与浅刻蚀区域，将两个区域的轮廓离散成若干个点坐标，其中，所述浅刻蚀区域的刻蚀深度比波导区域的刻蚀深度浅；使用优化搜索算法对波导区域与浅刻蚀区域的轮廓点坐标进行优化搜索；对粒子适应度进行迭代搜索，实时记录最优的粒子适应度的值在每一次迭代过程中的变化；满足收敛条件后，迭代停止。采用本发明的技术方案，通过引入浅刻蚀区域，同时优化波导轮廓和浅刻蚀轮廓，可以有效提高器件带宽；而且得到的器件具有小尺寸的特点，并可保证器件的可制备性。
主权项：1.一种超宽带的光功率分束器的设计方法，其特征在于：其包括如下步骤：步骤S1，确定待设计片上光子器件的功能、设计目标以及外观轮廓的待设计区域；输入输出波导宽度为0.7μm,两输出波导的间距为0.2μm；步骤S2，将待设计区域分为波导区域与浅刻蚀区域，将两个区域的轮廓离散成若干个点坐标，其中，所述浅刻蚀区域的刻蚀深度比波导区域的刻蚀深度浅；波导区域硅层高度为220nm，浅刻蚀区域硅层高度为150nm，设计区域沿轴对称；步骤S3，使用优化搜索算法对波导区域与浅刻蚀区域的轮廓点坐标进行优化搜索；步骤S4，对步骤S3的粒子适应度进行迭代搜索，实时记录最优的粒子适应度的值在每一次迭代过程中的变化；满足收敛条件后，迭代停止；步骤S2中，分别通过波导区域、浅刻蚀区域的轮廓上的至少两个点与输入输出波导上的固定点用直线连接确定，或采用插值法确定对应区域的轮廓；所述超宽带的光功率分束器的0.2dB插入损耗工作波长范围为1400nm–2200nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳) 一种超宽带的光功率分束器的设计方法及设计系统
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