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申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日：2022-10-10
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN115873599B
主分类号：C09K13/06
分类号：C09K13/06;H01L21/02;H01L21/311
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.04.18#实质审查的生效;2023.03.31#公开
摘要：本发明公开了一种氮化硅氧化硅的3DNAND结构片的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。
主权项：1.一种氮化硅氧化硅的3DNAND结构片的选择性蚀刻液，其特征在于，所述选择性蚀刻液包括如下原料：1.5-2%质量含量的硅烷偶联剂A，所述的硅烷偶联剂A为[3-甲氨基丙基]三甲氧基硅烷、N-[3-三甲氧基硅基丙基]丁-1-胺、[3-苯氨基丙基]三甲氧基硅烷中的任意一种；1.4%质量含量的硅烷偶联剂B，所述的硅烷偶联剂B为3-[2-2-氨基乙基氨基乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷；83.0-85.0%质量含量的磷酸；余量为去离子水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液
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