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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN117761975B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开
摘要：本发明提供了一种光阻图形的形成方法，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片晶圆载入一曝光机中，曝光机中存储有两枚光罩的设定曝光能量以及每片晶圆对应的两枚光罩的曝光顺序；将先曝光的光罩载入曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的设定曝光能量对晶圆进行曝光；将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩，并输入修正系数，获得后曝光的光罩的修正曝光能量；执行第二曝光进程，根据后曝光的光罩的修正曝光能量对晶圆进行曝光；执行烘烤工艺，以及执行显影工艺，以获得晶圆上形成的光阻图形。本发明改善曝光后因烘烤延迟导致的若干片晶圆上形成的光阻图形的CD值差异。
主权项：1.一种光阻图形的形成方法，其特征在于，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片所述晶圆载入一曝光机中，所述曝光机中存储有两枚所述光罩的设定曝光能量以及每片所述晶圆对应的两枚所述光罩的曝光顺序；按照所述曝光顺序，将先曝光的光罩载入所述曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的设定曝光能量对所述晶圆进行曝光；将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩，并输入修正系数，根据所述修正系数修正后曝光的光罩的设定曝光能量获得后曝光的光罩的修正曝光能量；执行第二曝光进程，根据后曝光的光罩的修正曝光能量对所述晶圆进行曝光；对所述晶圆执行烘烤工艺；以及，对所述晶圆执行显影工艺，以获得所述晶圆上形成的光阻图形；其中，两枚所述光罩分为第一枚光罩和第二枚光罩，所述修正系数的公式如下：；其中，K为所述修正系数，Ra为所述第一枚光罩根据不同烘烤等待时间拟合得到的斜率，Rb为所述第二枚光罩根据不同烘烤等待时间拟合得到的斜率，Ea为所述第一枚光罩根据不同测试曝光能量拟合得到的斜率，Eb为所述第二枚光罩根据不同测试曝光能量拟合得到的斜率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 光阻图形的形成方法
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