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申请/专利权人：朗美通日本株式会社
申请日：2020-05-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111916507B
主分类号：H01L31/0224
分类号：H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18
优先权：["20190507 JP 2019-087586","20200409 US 16/844,757"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2020.11.10#公开
摘要：一种半导体光接收元件包括基板；光接收台面部分，形成在基板的顶部上，包括第一导电类型的第一半导体层、吸收层和第二导电类型的第二半导体层；光接收部分电极，形成在光接收台面部分上方，连接到第一半导体层；衬垫电极，其形成在基板的顶部上；以及桥接电极，其被放置成使得绝缘间隙介于桥接电极和第二半导体层之间，被构造为将光接收部分电极和在基板的顶部上的衬垫电极连接，该桥接电极形成在与衬垫电极和光接收部分电极的层分开的层中。
主权项：1.一种半导体光接收元件，包括：基板；光接收台面部分，形成在基板的顶部上，包括第一导电类型的第一半导体层、吸收层、和第二导电类型的第二半导体层，光接收部分电极，形成在光接收台面部分上方，连接到第一半导体层；衬垫台面部分，形成在基板的顶部上；衬垫电极，形成在衬垫台面部分上方，其中，当从基板上方观察时，衬垫电极被放置成从没有放置衬垫台面部分的区域伸展，沿着衬垫台面部分的倾斜表面爬升，并在衬垫台面部分的顶表面上方扩展；和桥接电极，被放置为使得绝缘间隙介于桥接电极和第二半导体层之间，被构造为将光接收部分电极和在基板的顶部上的衬垫电极连接，桥接电极形成在与光接收部分电极和衬垫电极的层分开的层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗美通日本株式会社 半导体光接收元件及半导体光接收元件的制造方法
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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