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【发明授权】MEMS驱动器件及其形成方法_绍兴中芯集成电路制造股份有限公司_202010335036.0 

申请/专利权人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请日:2020-04-24

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN113548636B

主分类号:B81C1/00

分类号:B81C1/00;B81B7/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2021.11.12#实质审查的生效;2021.10.26#公开

摘要:本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过键合具有第二绝缘层和第二导电材料层的第二衬底,从而可精确去除第二衬底,避免对第二导电材料层造成损耗,使得保留的第二导电材料层的厚度可以被精确控制;并且,在去除第二衬底时,是优先利用研磨工艺再结合刻蚀工艺,从而可避免研磨工艺中的机械应力作用在第二导电材料层上,有效改善了在第二导电材料层中容易出现隐裂的问题。

主权项:1.一种MEMS驱动器件的形成方法,其特征在于,包括:提供第一衬底和第二衬底,所述第一衬底上形成有第一导电材料层,并图形化所述第一导电材料层以形成固定梳齿结构,并在所述第一导电材料层中还形成有空腔,所述第二衬底上依次形成有第二绝缘层和第二导电材料层;以所述第二衬底的第二导电材料层面向所述第一衬底的第一导电材料层的方向,键合所述第二衬底和所述第一衬底;研磨所述第二衬底以部分去除所述第二衬底的衬底材料,再利用刻蚀工艺去除剩余的第二衬底并刻蚀停止于所述第二绝缘层上,以及去除所述第二绝缘层以暴露出所述第二导电材料层;以及,图形化所述第二导电材料层以形成可动梳齿结构,所述可动梳齿结构对应在所述固定梳齿结构的上方。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 MEMS驱动器件及其形成方法

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