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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日：2020-06-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111900206B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.11.24#实质审查的生效;2020.11.06#公开
摘要：本申请公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。本申请通过将栅极做成阶梯状，使得后续使用一个源漏掩模板即可形成不对称的源极和漏极结构，从而不仅改善了晶体管的性能问题，而且也节省了掩模板的制作工艺。
主权项：1.一种不对称型源漏场效应晶体管，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同；还包括：位于所述栅极两侧的栅侧墙，所述两个栅侧墙的厚度不一致，且所述两个侧墙的高度也不一致。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法
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