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申请/专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日：2020-11-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112532200B
主分类号：H03H9/02
分类号：H03H9/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.04.06#实质审查的生效;2021.03.19#公开
摘要：本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件，方法包括：提供第一衬底；第一衬底表面的器件区用于承载谐振单元；提供第二衬底；第二衬底包括层叠设置的支撑层和保护层；在支撑层中对应于器件区位置形成贯穿支撑层的第一通孔；第一通孔的开口尺寸大于器件区的尺寸；键合第一衬底和第二衬底；第一通孔用于容纳谐振单元；所述方法还包括以下之一：在键合第一衬底和第二衬底前，在第一衬底上形成谐振单元的反射结构，对谐振单元进行调频处理；在键合第一衬底和第二衬底前，在第一衬底上形成反射结构；在键合第一衬底和第二衬底后，对谐振单元进行调频处理；在键合第一衬底和第二衬底后，在第一衬底上形成反射结构，对谐振单元进行调频处理。
主权项：1.一种声波器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；其中，所述第一衬底表面的器件区用于承载谐振单元，所述谐振单元包括依次层叠设置的反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层和调整层；提供第二衬底；其中，所述第二衬底包括层叠设置的支撑层和保护层；在所述支撑层中对应于所述器件区位置，形成贯穿所述支撑层的第一通孔；其中，所述第一通孔的开口尺寸大于所述器件区的尺寸；键合所述第一衬底和所述第二衬底；其中，所述第一通孔用于容纳所述谐振单元；所述方法还包括以下之一：在键合所述第一衬底和所述第二衬底之前，在所述第一衬底上形成所述反射结构，并对所述谐振单元进行调频处理；在键合所述第一衬底和所述第二衬底之前，在所述第一衬底上形成所述反射结构；在键合所述第一衬底和所述第二衬底之后，对所述谐振单元进行调频处理；在键合所述第一衬底和所述第二衬底之后，在所述第一衬底上形成所述反射结构，并对所述谐振单元进行调频处理；其中，所述对所述谐振单元进行调频处理，包括：修整所述调整层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉衍熙微器件有限公司 声波器件的制作方法及声波器件
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