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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2021-01-18
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114815494B
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开
摘要：本发明提供一种光学邻近矫正方法及系统、掩模版、设备与存储介质，所述光学临近矫正的方法包括：本发明提供一种光学临近矫正模型的方法、光学临近矫正系统以及掩膜板，所述光学临近矫正方法包括：提供光学临近矫正模型，所述光学临近矫正模型采用标准测试图形数据库进行模拟仿真，选取所述测试图形库中的部分测试图形作为基础测试图形，选取所述真实芯片图形数据库中的真实芯片图形；计算所述基础测试图形和真实芯片图形特征向量之间的多级差异；基于多级差异从小到大对备用测试图形进行排序，将排序后小于预设排名的备用测试图形添加到基础测试图形中。
主权项：1.一种光学临近矫正方法，其特征在于，包括：提供光学临近矫正模型，所述光学临近矫正模型采用标准测试图形数据库进行模拟仿真，所述标准测试图形数据库包括：测试图形库和真实芯片图形数据库；选取所述测试图形库中的部分测试图形作为基础测试图形，将测试图形库剩余的测试图形作为备用测试图形，选取所述真实芯片图形数据库中的真实芯片图形；提取所述基础测试图形和真实芯片图形的特征向量，以所述特征向量表示所述基础测试图形和真实芯片图形的关键特征数据，计算所述基础测试图形和真实芯片图形特征向量之间的多级差异；根据所述多级差异，评估所述基础测试图形对所述真实芯片图形的实际覆盖度，并将实际覆盖度低于预设覆盖度的真实芯片图形作为未覆盖图形，其中，所述多级差异越小表征所述实际覆盖度越高；根据评估的结果，选取所述测试图形库中的部分备用测试图形，计算所述部分备用测试图形和未覆盖图形特征向量之间的多级差异，基于多级差异从小到大对备用测试图形进行排序，将排序后小于预设排名的备用测试图形添加到基础测试图形中，以更新所述光学临近矫正模型的标准测试图形数据库。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光学邻近矫正方法及系统、掩模版、设备与存储介质
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