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申请/专利权人：四川广义微电子股份有限公司
申请日：2021-09-02
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113703292B
主分类号：G03F7/30
分类号：G03F7/30;G03F7/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开
摘要：本发明公开了一种减少PI胶丝残留的方法，涉及半导体领域，解决了PI胶丝残留的问题，其技术方案要点是：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理；达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留，以去除划片道及PAD层的胶丝残留。
主权项：1.一种减少PI胶丝残留的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；所述步骤三的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进行甩干处理；将显影液喷在已甩干表面水分的产品片上；对喷显影液的产品片进行振荡显影处理；对振荡显影处理后的产品片再次进行冲水及甩干处理；其中，所述振荡显影环节预留光刻胶，光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶；控制显影时间为75-79s使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶；采用负胶清洗剂去除刚好包裹住die边缘高台阶的预留光刻胶；步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川广义微电子股份有限公司 一种减少PI胶丝残留的方法
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