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申请/专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日：2021-10-22
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114038909B
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/778;H01L27/085;H01L21/8252;H01L21/335;H01L21/28
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开
摘要：本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaNHEMT和低压增强型GaNHEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替SiMOSFET，从而可以在器件上同时实现HVGaNMIS‑HEMT和LVGaNMIS‑FET，采用D‑mode高压GaNMIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaNFET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。
主权项：1.增强型氮化镓功率器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层设于所述衬底上；势垒层，所述势垒层包括设于所述缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极设于所述缓冲层上，且所述第一源极和第一漏极与所述第一子势垒层接触；第一栅极，所述第一栅极设于所述第一子势垒层上，且位于所述第一源极和第一漏极之间，从而形成高压耗尽型GaNHEMT；第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极设于所述缓冲层上，且所述第二源极和第二漏极与所述第二子势垒层接触；第二栅极，所述第二栅极深入所述第二子势垒层中形成凹栅，且位于所述第二源极和第二漏极之间，从而形成低压增强型GaNHEMT；所述第一源极和所述第二漏极之间电气连接使所述高压耗尽型GaNHEMT和所述低压增强型GaNHEMT级联形成cascode结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学深圳研究生院 增强型氮化镓功率器件及其制备方法
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