申请/专利权人：王仲季

申请日：2022-01-20

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114442720B

主分类号：G05F1/59

分类号：G05F1/59

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要：本发明设计的“一种共基电流传输无大环路负反馈IV电路”，主要是为克服因共射电路构成的差分电路工作频率低下、传输速度慢的问题，本发明由共基电路构成的电流传输、电压转换的IV电路，用于替代原始的共射差分电路结构。我们知道晶体三极管在共发射极接法下，其实际工作频率仅为fC＝fThfe，而在共基接法下其工作频率可接近fT。可见共基接法比共射接法的工作频率提高了hfe倍，由于共基电路的失真很小，所以本电路设计时不考虑大环路负反馈，简化了电路，也由此本电路传输过程中不会产生环路延迟现象，这就是该电路用共基替代共射并取消大环路负反馈设计的好处。属模拟电子技术，主要用于高速电流传输电路或DAC电路中。

主权项：1.一种共基电流传输无大环路负反馈IV电路，由共基电流传输IV电路：晶体三极管Q1、电阻R1、电阻R2、晶体三极管Q2、电阻R11、晶体三极管Q7、晶体三极管Q8、电阻R12、电阻R10、电阻R13、晶体三极管Q9、晶体三极管Q10、电阻R14、晶体三极管Q11、电阻R15、电阻R16、晶体三极管Q12组成；其所属偏置电路由：电阻R3、晶体三极管Q3、电阻R4、电阻R5、晶体三极管Q4、电阻R6、电阻R7、晶体三极管Q5、稳压管U1、电阻R8、晶体三极管Q6、电阻R9组成，其中上侧电路的信号电流输入端Ii电连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端电连接晶体三极管Q1的射极，晶体三极管Q1的集电极电连接电阻R11的一端，电阻R11的另一端电连接正电源VCC，电阻R11的一端电连接晶体三极管Q7的射极，晶体三极管Q7的集电极电连接晶体三极管Q8的集电极，晶体三极管Q8的集电极与晶体三极管Q8的基极短接，晶体三极管Q8的射极电连接电阻R12的一端，电阻R12的另一端电连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端电连接接地，晶体三极管Q11的集电极电连接正电源VCC，晶体三极管Q11的基极电连接晶体三极管Q8的基极，晶体三极管Q11的射极电连接电阻R15的一端，电阻R15的另一端电连接信号电压输出端Vo端；下侧电路的信号电流输入端Ii电连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端电连接晶体三极管Q2的射极，晶体三极管Q2的集电极电连接电阻R14的一端，电阻R14的另一端电连接负电源VEE，电阻R14的一端电连接晶体三极管Q10的射极，晶体三极管Q10的集电极电连接晶体三极管Q9的集电极，晶体三极管Q9的集电极与晶体三极管Q9的基极短接，晶体三极管Q9的射极电连接电阻R13的一端，电阻R13的另一端电连接电阻R10的一端，晶体三极管Q12的集电极电连接负电源VEE的一端，晶体三极管Q12的基极电连接晶体三极管Q9的基极，晶体三极管Q12的射极电连接电阻R16的一端，电阻R16的另一端电连接信号电压输出端Vo，而偏置电路中，电阻R3的一端电连接正电源VCC，电阻R3的另一端电连接晶体三极管Q3的射极，晶体三极管Q3的基极电连接晶体三极管Q5的基极、晶体三极管Q7的基极，晶体三极管Q5的基极与晶体三极管Q5的集电极短接，晶体三极管Q3的集电极电连接晶体三极管Q1的基极及电阻R4的一端，电阻R4的另一端电连接接地，电阻R6的一端电连接负电源VEE，电阻R6的另一端电连接晶体三极管Q4的射极，晶体三极管Q4的基极电连接晶体三极管Q6的基极、晶体三极管Q10的基极，晶体三极管Q6的基极与晶体三极管Q6的集电极短接，晶体三极管Q4的集电极电连接晶体三极管Q2的基极及电阻R5的一端，电阻R5的另一端电连接接地，稳压管U1的电压输入端Vin电连接晶体三极管Q5的集电极，稳压管U1的电压输出端Vout电连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端电连接晶体三极管Q6的集电极和稳压管U1的调整端ADJ。

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百度查询： 王仲季 一种共基电流传输无大环路负反馈I/V电路

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