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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-02-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113454721B
主分类号：G11C11/406
分类号：G11C11/406;G11C11/408;G06F3/06
优先权：["20190212 US 62/804,469","20200210 US 16/786,725"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2021.09.28#公开
摘要：本申请涉及存储器装置的刷新速率控制。举例来说，可根据例如刷新速率的第一组刷新参数刷新存储器装置的存储器阵列。所述存储器装置可检测所述存储器装置处与数据完整性降低相关联的事件。在一些情况下，所述事件可与所述存储器装置的温度、在所述存储器装置处检测到的电压电平、所述存储器装置处的错误事件等等相关联。作为检测到所述事件的结果，所述存储器装置可调适所述一组刷新参数中的一或多个，例如增大所述存储器阵列的所述刷新速率。在一些情况下，所述存储器装置可通过增加在刷新操作期间刷新的所述存储器阵列的行的数量、减小刷新操作之间的周期性或同时进行这两种操作来调适所述一组刷新参数。
主权项：1.一种用于操作存储器装置的方法，其包括：根据对应于刷新所述存储器装置的存储器阵列的第一速率的第一组刷新参数操作所述存储器阵列；由所述存储器装置检测对应于电压条件、数据错误条件、最小刷新速率或所述存储器阵列的一或多个组件的状态中的至少一个的事件；至少部分地基于检测到所述事件而根据第二组刷新参数操作所述存储器阵列，所述第二组刷新参数对应于刷新所述存储器阵列的第二速率，所述第二速率快于所述第一速率；以及至少部分地基于检测到所述事件而向主机装置提供根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列的指示。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 存储器装置的刷新速率控制
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