申请/专利权人：娜美半导体有限公司

申请日：2019-08-26

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN110534574B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423

优先权：["20190716 US 16/512,538"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2019.12.27#实质审查的生效;2019.12.03#公开

摘要：本发明公开了一种半导体器件的版图结构，包括多个芯片结构，其中，每个芯片包括一个沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的屏蔽沟槽栅，位于终端区的多个悬浮的沟槽栅和至少一个沟道阻止沟槽栅。其中，所述屏蔽沟槽栅具有双电极结构，包括位于沟槽下方的屏蔽电极和位于沟槽上方的栅电极，其中所述栅电极和所述屏蔽电极之间由一层极间绝缘层绝缘。

主权项：1.一种半导体功率器件的版图结构，包括多个芯片结构，每个芯片结构包括一个沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其包括：多个悬浮沟槽栅，具有悬浮的电压，平行地形成于位于有源区外围的终端区，每两个相邻的所述悬浮沟槽栅之间延伸有第二体区，其中所述悬浮沟槽栅的沟槽深度大于或等于所述第二体区的结深；至少一个沟道阻止沟槽栅，位于终端区且围绕所述多个悬浮沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅都连接至至少一个切割沟槽栅，其中每个所述的切割沟槽栅都延伸穿过一条切割道；且每个所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管进一步包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述衬底的上表面，其中所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；第一导电类型的源区，位于有源区，且靠近所述外延层的上表面，所述有源区的多数载流子浓度高于所述外延层；第二导电类型的第一体区，位于有源区，且位于所述源区的下方；第二导电类型的第二体区，位于包括终端区在内的有源区的外围，且靠近所述外延层的上表面，且所述第二体区的上表面处不包括所述源区；多个屏蔽沟槽栅，位于有源区，且每个屏蔽沟槽栅具有双电极结构，其包括位于沟槽上部分的栅电极和位于沟槽下部分的屏蔽电极，其中所述屏蔽电极的底部和侧壁包围有第一栅极氧化层，所述栅电极的侧壁包围有第二栅极氧化层，所述栅电极和所述屏蔽电极之间由一层极间绝缘层绝缘；所述栅电极连接至栅极金属，所述屏蔽电极连接至源极金属；多个悬浮沟槽栅，具有悬浮的电压，平行地形成于位于有源区外围的终端区，每两个相邻的所述悬浮沟槽栅之间延伸有第二体区，其中所述悬浮沟槽栅的沟槽深度大于或等于所述第二体区的结深,并且每个所述的悬浮沟槽栅内包括与所述屏蔽沟槽栅一样的双电极结构；位于每两个相邻的悬浮沟槽栅之间的第二体区具有悬浮的电压；至少一个沟道阻止沟槽栅，位于终端区且围绕所述多个悬浮沟槽栅的外围，每个所述的沟道阻止沟槽栅都连接至至少一个切割沟槽栅，其中每个所述的切割沟槽栅都延伸穿过一条切割道；和漏极金属，位于所述衬底的下表面。

全文数据：

权利要求：

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