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【实用新型】一种提升出光效率的LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202322712635.1 

申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

申请日:2023-10-10

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN220984551U

主分类号:H01L33/42

分类号:H01L33/42;H01L33/58

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权

摘要:本实用新型公开了一种提升出光效率的LED芯片,包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层,所述P型半导体层上设有电流阻挡层和透明导电层,所述电流阻挡层设于所述P型半导体层上,所述透明导电层设于所述P型半导体层上并覆盖所述电流阻挡层,所述透明导电层包括依次层叠的第一透明导电层和第二透明导电层,所述第二透明导电层包括凸出于所述第一透明导电层表面的若干束光柱,所述第一透明导电层上设有P电极,所述N型半导体层上设有N电极。采用本实用新型的提升出光效率的LED芯片,在不影响LED芯片质量的同时提高LED芯片的出光效率。

主权项:1.一种提升出光效率的LED芯片,其特征在于,包括衬底及设于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层,所述P型半导体层上设有电流阻挡层和透明导电层,所述电流阻挡层设于所述P型半导体层上,所述透明导电层设于所述P型半导体层上并覆盖所述电流阻挡层,所述透明导电层包括依次层叠的第一透明导电层和第二透明导电层,所述第二透明导电层包括凸出于所述第一透明导电层表面的若干束光柱,所述第一透明导电层上设有P电极,所述N型半导体层上设有N电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 一种提升出光效率的LED芯片

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