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申请/专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日：2023-09-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN220984354U
主分类号：H01G4/005
分类号：H01G4/005;H01G4/232;H01G4/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权
摘要：本实用新型公开了一种多层硅电容结构，包括主体，主体包括介质层，嵌设于介质层内的硅衬底，以及嵌设于介质层内且彼此交替堆叠设置的第一内电极和第二内电极；主体具有垂直于堆叠方向且彼此相对的第一表面和第二表面；硅衬底以及第二内电极的第一端均暴露于第一表面，硅衬底以及第二内电极的第二端位于介质层内；第一内电极的第一端暴露于第二表面，第一内电极的第二端位于介质层内；主体还包括设置于第一表面且接触硅衬底和第二内电极的第一外电极，以及设置于第二表面且接触第一内电极的第二外电极。本实用新型的多层硅电容结构，结构简单，且能适应多层陶瓷电容的端电极生产设备，大幅降低生产成本。
主权项：1.一种多层硅电容结构，其特征在于，包括：主体，所述主体包括介质层，嵌设于所述介质层内的硅衬底，以及嵌设于所述介质层内的一个或多个第一内电极和一个或多个第二内电极，所述第一内电极和第二内电极彼此交替堆叠设置；所述主体具有垂直于堆叠方向且彼此相对的第一表面和第二表面；所述硅衬底以及所述第二内电极的第一端均暴露于所述第一表面，所述硅衬底以及所述第二内电极与第一端相对的第二端位于所述介质层内；所述第一内电极的第一端暴露于所述第二表面，所述第一内电极与第一端相对的第二端位于所述介质层内；所述主体还包括设置于所述第一表面且接触所述硅衬底和所述第二内电极的第一外电极，以及设置于所述第二表面且接触所述第一内电极的第二外电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州苏纳光电有限公司 多层硅电容结构
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