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申请/专利权人：沃尔德美星钻石科技(嘉兴)有限公司
申请日：2023-06-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN220977230U
主分类号：C30B35/00
分类号：C30B35/00;C30B29/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权
摘要：本实用新型提供了一种籽晶侧向生长样品台，所述样品台上设有下沉孔，所述下沉孔内竖直设置有片状籽晶。本实用新型具有如下有益效果：通过样品台上的下沉孔，并将片状籽晶竖直的放入其中，即可以用小籽晶，制作大籽晶。避免了买不到大籽晶的问题，甚至可以制作出比能够采购到的籽晶更大的籽晶，同时还无需进行水激光切割，其解决了现有培育钻石的技术中，大面积籽晶的培育存在成本高的技术问题，实现了采用小面积的片状籽晶生产为大面积的片状籽晶，进而无需购买大面积的片状籽晶，只需要小面积的片状籽晶即可，进而降低了成本。同时如果片状籽晶出现边长不足等不良，可以采用本申请的样品台重新进行生长，得到合格品。
主权项：1.一种籽晶侧向生长样品台，其特征在于：所述样品台上设有下沉孔，所述下沉孔内竖直设置有片状籽晶，所述下沉孔内设有垫块，所述片状籽晶设置在垫块上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沃尔德美星钻石科技(嘉兴)有限公司 籽晶侧向生长样品台
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