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申请/专利权人：深圳市芯友微电子科技有限公司
申请日：2023-08-02
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN220984516U
主分类号：H01L23/31
分类号：H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权
摘要：本实用新型公开了一种功率器件封装结构，包括塑封体、封装在塑封体内的芯片，其中，芯片下方通过金属基岛来承载，金属基岛通过第一导电连接柱与第一金属焊盘连接；芯片上方设置有互联结构，互联结构一端连接于芯片的上端面，互联结构另一端通过第二导电连接柱与第二金属焊盘连接，第二导电连接柱设置在塑封体的右侧。采用这种结构设计，能够较大地增加芯片下方承接PAD的尺寸，使得在同一较小的器件上，可以装更大的芯片，且不会出现芯片下方空洞等情况，另外，通过此设计装大芯片后，提高了器件的功率，从而能够扩大同等体积下的器件的适用范围。
主权项：1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括塑封体、封装在所述塑封体内的芯片，其中，所述芯片下方通过金属基岛来承载，所述金属基岛通过第一导电连接柱与第一金属焊盘连接；所述芯片上方设置有互联结构，所述互联结构一端连接于所述芯片的上端面，所述互联结构另一端通过第二导电连接柱与第二金属焊盘连接，所述第二导电连接柱设置在所述塑封体的右侧；在所述芯片的正投影方向上，所述芯片与所述塑封体的面积之比为50％～80％；所述互联结构上设置有PP层，所述PP层上设置有阻焊层；所述第一金属焊盘的长度为0.8mm～1.4mm，所述第一金属焊盘的宽度为0.5mm～1.0mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市芯友微电子科技有限公司 一种功率器件封装结构
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