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申请/专利权人：江阴旺达电子有限公司
申请日：2023-09-13
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN220985352U
主分类号：H02J7/00
分类号：H02J7/00;H02H3/32
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权
摘要：本实用新型公开了一种防止初次级漏电的PD快充模块，包括集成有快充电路的PCB板，快充电路包括通过变压器T1电连接的初级电路和次级电路；初级电路包括输入整流滤波单元和驱动控制单元，次级电路包括同步整流单元和充电输出单元；驱动控制单元包括瞬态抑制二极管、光耦三极管和电源管理芯片；瞬态抑制二极管的负极与电源管理芯片的FB端电连接，瞬态抑制二极管的正极接地；光耦三极管与充电输出单元中的光耦二极管进行光耦传输。该快充模块在初级电路中设置瞬态抑制二极管，当初级电路出现短路时，瞬态抑制二极管响应速度远大于光耦三极管，从而防止光耦三极管炸裂导致初次级电路漏电，以此保护次级电路不受破坏。
主权项：1.一种防止初次级漏电的PD快充模块，其特征在于，所述PD快充模块包括集成有快充电路的PCB板，所述快充电路包括通过变压器T1电连接的初级电路和次级电路；所述初级电路包括输入整流滤波单元和驱动控制单元，所述次级电路包括同步整流单元和充电输出单元；所述驱动控制单元包括瞬态抑制二极管D1A、光耦三极管U1B和电源管理芯片U2；所述瞬态抑制二极管D1A的负极与所述电源管理芯片U2的FB端电连接，所述瞬态抑制二极管D1A的正极接地；所述光耦三极管U1B的集电极与所述瞬态抑制二极管D1A的负极电连接，所述光耦三极管U1B的发射极接地；所述光耦三极管U1B与所述充电输出单元中的光耦二极管U4A进行光耦传输。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江阴旺达电子有限公司 一种防止初次级漏电的PD快充模块
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