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申请/专利权人：合肥工业大学
申请日：2023-11-03
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118032715A
主分类号：G01N21/47
分类号：G01N21/47;G01N21/01
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明公开了一种模拟电子衍射的方法，步骤为：将物质晶体结构中的原子沿所需带轴进行投影获得二维图形，对二维图形中各原子的周期性相对位置关系进行放大，然后按照放大后原子的相对位置关系在3D打印的液晶阵列层图形中对原子进行占位，并用单个液晶像素点代替图形中的单个原子，形成空间占位图形；按照所获得的空间占位图形，利用3D光固化打印机在透明基片上对光敏树脂进行紫外曝光固化，清洗后在透明基片上形成晶体结构沿该带轴的二维模拟微结构；用二维模拟微结构在激光照射下所呈现的衍射花样模拟晶体物质沿该带轴的电子衍射花样。本发明的方法具有成本低、制作效率高、衍射花样清晰、可直接观察测量的特点。
主权项：1.一种模拟电子衍射的方法，其特征在于：将物质晶体结构中的原子沿所需带轴进行投影获得二维图形，对二维图形中各原子的周期性相对位置关系进行放大，然后按照放大后原子的相对位置关系在3D打印的液晶阵列层图形中对原子进行占位，并用单个液晶像素点代替图形中的单个原子，形成空间占位图形；按照所获得的空间占位图形，利用3D光固化打印机在透明基片上对光敏树脂进行紫外曝光固化，清洗后在透明基片上形成晶体结构沿所述带轴的二维模拟微结构；用二维模拟微结构在激光照射下所呈现的衍射花样模拟晶体物质沿所述带轴的电子衍射花样。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 一种模拟电子衍射的方法
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