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申请/专利权人：北京大学
申请日：2022-11-11
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118039455A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明公开一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的AlN薄膜，其具有如下特征：1表面平整度达到0.1nm以下；2位错密度小于1.0×108cm‑2。本发明首次提出对AlN衬底进行特定图形化制备，保障了AlN外延层与模板面内晶格对称性的一致，并在其上进行AlN可控侧向外延，实现特定晶面的可控聚合过程，极大减少晶柱扭曲，大幅减少位错增殖，从而实现位错密度低、表面原子级别平整的AlN薄膜。
主权项：1.一种AlN薄膜，其具有如下特征：1表面平整度达到0.1nm以下；2位错密度低于1.0×108cm-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用
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