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申请/专利权人：株式会社村田制作所
申请日：2022-09-29
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118043969A
主分类号：H01L27/04
分类号：H01L27/04
优先权：["20211004 JP 2021-163298"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：瞬态电压吸收元件11具备半导体基板Sub、形成在该半导体基板Sub的表面的外延层Epi、形成在该外延层Epi的p+区域及n+区域、形成于半导体基板Sub的埋入层BL、以及沟槽TR。由外延层Epi、p+区域及n+区域构成分别包括它们的多个二极管，沟槽TR从外延层Epi的表面侧到达埋入层BL而将二极管之间分离，埋入层BL的杂质浓度比半导体基板Sub高，且在相邻的二极管之间分离。
主权项：1.一种瞬态电压吸收元件，具备：半导体基板；外延层，形成于所述半导体基板的表面；第一p+区域、第二p+区域、第一n+区域及第二n+区域，形成于所述外延层；第一埋入层及第二埋入层，形成于所述半导体基板内；以及第一沟槽及第二沟槽，包括由所述第一沟槽包围的所述外延层的一部分、所述第一p+区域及所述第一n+区域而构成第一二极管，包括由所述第二沟槽包围的所述外延层的一部分、所述第二p+区域及所述第二n+区域而构成第二二极管，所述第一沟槽从所述外延层的表面侧到达所述第一埋入层，所述第二沟槽从所述外延层的表面侧到达所述第二埋入层，所述第一埋入层及所述第二埋入层的杂质浓度比所述半导体基板高，所述第一埋入层及所述第二埋入层在相邻的所述第一二极管与所述第二二极管之间分离。
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