申请/专利权人：艾克斯特朗欧洲公司

申请日：2019-12-06

公开（公告）日：2024-05-14

公开（公告）号：CN113383110B

主分类号：C23C16/458

分类号：C23C16/458;C23C16/44;H01L21/687

优先权：["20181211 DE 102018131751.4"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.14#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.09.10#公开

摘要：本发明涉及一种用于CVD反应器的基座，所述基座具有用于支承基片架2的支承面7。载气馈入内部的径向区域11中，以便使支承在支承面7上的基片架保持悬浮。馈入内部的径向区域11中的气体自排出通道6从第二径向区域12逸出并且以少部分从包围第二径向区域12的、对应于第三径向区域13的间隙9逸出。排出通道6的横截面积和间隙9的径向长度的尺寸设计为，使得当间隙具有200μm的间隙高度时，通过气体排出管路6的气体体积流量大于通过间隙9的气体体积流量。

主权项：1.一种用于运行具有基座的CVD反应器的方法，所述基座具有至少一个带有圆形的基本轮廓的支承面7，所述支承面用于围绕所述支承面7的中心Z旋转支承圆盘状的基片架2，其中，所述支承面7具有第一径向区域11，至少一个气体分配通道4在所述第一径向区域中延伸，气体输入管路3通入所述气体分配通道中，第二径向区域12，所述第二径向区域相对于中心Z在径向上与第一径向区域11错开并且所述第二径向区域构成具有一个或者多个排出通道6的气体排出管路，所述排出通道从包围所述第一径向区域11的凹槽发源，和第三径向区域13，所述第三径向区域包围第一径向区域11和第二径向区域12并且在支承面7和基片架2之间构成直接邻接在支承面7的径向外部边缘上的间隙9，其中，在第一径向区域11中通过气体输入管路3在支承面7和基片架2的底侧2′之间的容腔中馈入气体流并且在那里产生压力，所述压力使基片架2保持悬浮，其中，所述气体流的第一气体体积流量通过气体排出管路离开所述容腔并且所述气体流的第二气体体积流量通过间隙9离开所述容腔，其特征在于，通过改变气体流使得所述间隙9的间隙高度最大为300μm，并且排出通道6的数量、排出通道6的长度和横截面积和第三径向区域13的径向长度以及间隙9的径向长度的尺寸设计为，使得通过气体排出管路的气体体积流量比通过间隙9的气体体积流量大，其中，百分之90或更多的气体流通过由排出通道6构成的气体排出管路并且仅有最多百分之10的气体流通过间隙9流动到处理室中，其中，所述排出通道6的数量至少为4，所述间隙9的径向长度为至少4mm，并且其中，所述排出通道6具有至少1mm的半径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾克斯特朗欧洲公司 CVD反应器的基座

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD