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申请/专利权人：复旦大学
申请日：2021-11-26
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN114137029B
主分类号：G01N27/00
分类号：G01N27/00;G01N27/416
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.14#授权;2022.03.22#实质审查的生效;2022.03.04#公开
摘要：本发明提供了一种TA‑MSAAO异质结纳米通道的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将阳极氧化铝作为基底，通过旋涂前驱体溶液，和后续界面超组装和蒸发诱导自组装的方法在所述阳极氧化铝的表面构建一层厚度可调的介孔氧化硅层作为离子选择性层，制备得到MSAAO异质纳米通道；步骤2，将MSAAO异质结纳米通道浸入3‑氨丙基三乙氧基硅烷乙醇溶液中进行浸泡；步骤3，对步骤2浸泡后的MSAAO异质结纳米通道进行清洗后，再进行加热，得到NH2‑MSAAO纳米通道；步骤4，将NH2‑MSAAO纳米通道浸入单宁酸溶液中，在室温下进行浸泡；步骤5，对步骤4浸泡后的NH2‑MSAAO纳米通道进行清洗，得到TA‑MSAAO异质结纳米通道。本发明还提供了一种TA‑MSAAO异质结纳米通道，采用TA‑MSAAO异质结纳米通道的制备方法制备得到。
主权项：1.一种TA-MSAAO异质结纳米通道的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将阳极氧化铝作为基底，根据所述阳极氧化铝与硅羟基之间的氢键作用，通过旋涂前驱体溶液，和后续界面超组装和蒸发诱导自组装的方法在所述阳极氧化铝的表面构建一层厚度可调的介孔氧化硅层作为离子选择性层，制备得到MSAAO异质结纳米通道；步骤2，将所述MSAAO异质结纳米通道浸入3-氨丙基三乙氧基硅烷乙醇溶液中进行浸泡；步骤3，对步骤2浸泡后的所述MSAAO异质结纳米通道进行清洗后，再进行加热，得到NH2-MSAAO纳米通道；步骤4，将所述NH2-MSAAO纳米通道浸入单宁酸溶液中，在室温下进行浸泡；步骤5，对步骤4浸泡后的所述NH2-MSAAO纳米通道进行清洗，得到TA-MSAAO异质结纳米通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种TA-MS/AAO异质结纳米通道及其制备方法
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