南昌凯迅光电股份有限公司白继锋获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种RTA退火炉校温方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109637949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811345657.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种RTA退火炉校温方法是由白继锋;赵敏博;陈杏;王向武;张银桥;汪洋设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种RTA退火炉校温方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种RTA退火炉校温方法，该方法利用衬底制作成校温陪片，利用金属和衬底在特定温度下才能形成良好欧姆接触的特性来定义退火的临界温度，在临界温度基础上可以得到安全的目标工艺温度，该方法还可以监控腔体在临界温度的温场分布。本发明一种RTA退火炉校温方法具有便捷、经济、可靠的优点，不需要专门购买昂贵的校温用TCWafer装置，同时解决了传统TCWafer装置对背面有金属材料的样品无法有效反馈温场分布的弊端。
本发明授权一种RTA退火炉校温方法在权利要求书中公布了：1.一种用于四元系AlGaInPLED芯片的RTA退火炉校温方法，其特征在于：包括以下步骤：1制作校温用陪片：将4片350μm厚度的GaAs衬底研磨到200μm厚度，背面经过丙酮、异丙醇清洗后，采用电子束蒸镀方式蒸镀AuGe，其厚度为200nm；2设置好退火程序，将4片制作好的校温陪片背面朝上放置在RTA退火SiC托盘上进行退火；3将退火过的陪片通过旋转涂正胶，经过烘烤、曝光、显影，在陪片背面制作出100μm×100μm、间距为100μm的方形图形单元；4利用金属蚀刻液腐蚀陪片没有被胶保护的区域，用去胶液去除光刻胶后，在陪片背面制作出100μm×100μm、间距为100μm的AuGe图形单元；5利用欧姆测试仪测试相邻两颗AuGe图形之间的电阻，即实际就是测量金属和衬底之间的欧姆阻值大小，＜5Ω的阻值认为已经形成良好的欧姆接触，用于定义测得的电阻值在5-10Ω时为临界温度；通过测量欧姆阻值的大小变化来判断温场的变化和分布，通过设定不同温度试验找到该电阻在接近良好欧姆接触的特定范围的温度，定义该温度为临界温度，在此温度基础上增加窗口温度即可得到安全的目标工艺温度。
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