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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种具有特定钝化结构的背接触电池及其制造方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510345105.9，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种具有特定钝化结构的背接触电池及其制造方法和应用是由林楷睿设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有特定钝化结构的背接触电池及其制造方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定钝化结构的背接触电池及其制造方法和应用，背接触电池中第二半导体层包含从硅片背面向外依次设置的非晶硅层和第二掺杂晶硅层，第二掺杂晶硅层包含第二掺杂微晶区和位于第二掺杂微晶区两侧的第二掺杂非晶区，第二掺杂微晶区位于第二半导体开口区对应的位置并与导电膜层接触，第二掺杂非晶区铺设在第一掺杂多晶硅层的侧面端部及其相邻部分背面外；其中，第二掺杂微晶区的晶化率为5%‑80%。本发明能够大幅降低第二掺杂晶硅层的体电阻率，还降低第二掺杂晶硅层与导电膜层之间的接触电阻率，从而大幅降低电池的串联电阻，同时有效避免漏电流，提高电池效率。

本发明授权一种具有特定钝化结构的背接触电池及其制造方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有特定钝化结构的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，以及设置在第一半导体层和第二半导体层外的导电膜层，其中相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面开设不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，第一半导体层包含第一掺杂多晶硅层；其特征在于，第二半导体层包含从硅片背面向外依次设置的非晶硅层和第二掺杂晶硅层，第二掺杂晶硅层包含第二掺杂微晶区和位于第二掺杂微晶区两侧的第二掺杂非晶区，第二掺杂微晶区位于第二半导体开口区对应的位置并与导电膜层接触，第二掺杂非晶区铺设在第一掺杂多晶硅层的侧面端部及其相邻部分背面外；其中，第二掺杂微晶区的晶化率为5%-80%，第二掺杂微晶区与第二掺杂非晶区的电导率之比为（1e1-1e6）：1，第二掺杂微晶区的电导率在1e-1Ω·cm-1-5e2Ω·cm-1。

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