恭喜晶元光电股份有限公司张耀儒获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶元光电股份有限公司申请的专利半导体元件及半导体元件的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010361876.4，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权半导体元件及半导体元件的封装结构是由张耀儒;廖文禄;张永富;张翔;陈孟扬;胖韵馨;萧翊设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及半导体元件的封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及半导体元件的封装结构。半导体元件包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。
本发明授权半导体元件及半导体元件的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：基底，具有第一侧以及相对于该第一侧的第二侧；半导体结构，位于该基底的该第一侧，并包括第一半导体层、第二半导体层以及位于该第一半导体层及该第二半导体层之间的活性区；以及导电反射结构，位于该基底的该第二侧，且包括金属氧化结构以及金属结构，该金属氧化结构位于该金属结构与该基底之间，该金属结构包括第一金属层及第二金属层，该第一金属层位于该第二金属层及该金属氧化结构之间；接触层，位于该基底与该金属氧化结构之间并与该基底的该第二侧相接；以及介电材料层，位于该基底与该金属氧化结构之间并与该基底的该第二侧相接，且该介电材料层与该接触层隔开一距离；其中该第一金属层具有第一宽度，该第二金属层具有大于该第一宽度的第二宽度，该活性区具有小于该第一宽度的第三宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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