买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利半导体装置的制造方法及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010095523.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的制造方法及半导体装置是由仓知俊介;驹谷务设计研发完成，并于2020-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。

本发明授权半导体装置的制造方法及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上堆积绝缘膜；将沿第一方向排列的源极电极及漏极电极形成于所述绝缘膜的与所述源极电极及所述漏极电极对应的各开口内；将位于所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极形成于所述绝缘膜的与所述栅极电极对应的开口内；将位于与所述源极电极隔开间隔而相邻的区域并包括Ni层的第一金属膜形成于所述绝缘膜的与所述第一金属膜对应的开口内；形成位于所述绝缘膜上，与所述源极电极和所述第一金属膜接触，并将所述源极电极和所述第一金属膜电连接的第二金属膜；形成从所述SiC基板的背面到达所述第一金属膜的孔；及在所述孔内形成从所述背面到达所述第一金属膜的金属通孔，所述源极电极包括沿所述第一方向排列的第一部分和第二部分，所述第一金属膜形成于所述第一部分与所述第二部分之间，在所述第一金属膜与所述第一部分及所述第二部分之间存在所述绝缘膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电工光电子器件创新株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。