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龙图腾网恭喜宋秀海申请的专利一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010077890.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构是由何伟业;胡建权设计研发完成，并于2020-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构，包括基板、第一芯片与第二芯片，所述基板上设有置物槽，所述第一芯片设于置物槽，所述第二芯片设于第一芯片远离置物槽的一侧，所述第一芯片终端处固定连接有第一凸块，所述基板的一侧设有与第一凸块对应的开口，所述基板的两侧均设有滑槽，所述第二芯片靠近第一芯片的两端均设有与滑槽对应的第二凸块，所述第二凸块插设在滑槽内，所述基板的一侧设有与第一凸块对应的第二开口，本发明结构简单，封装方便、造价成本较低，且封装后的稳定性更高。

本发明授权一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种耗尽DMOS与ASIC芯片集成封装的封装结构，包括基板（1）、第一芯片（2）与第二芯片（3），其特征在于：所述基板（1）上设有置物槽，所述第一芯片（2）设于置物槽，所述第二芯片（3）设于第一芯片（2）远离置物槽的一侧，所述第一芯片（2）终端处固定连接有第一凸块（4），所述基板（1）的一侧设有与第一凸块（4）对应的开口（5），所述基板（1）的两侧均设有滑槽，所述第二芯片（3）靠近第一芯片（2）的两端均设有与滑槽对应的第二凸块（6），所述第二凸块（6）插设在滑槽内，所述基板（1）的一侧设有与第二凸块（6）对应的第二开口（7），所述第二芯片（3）远离第一芯片（2）的一侧设有盖板（8），所述盖板（8）靠近第二芯片（3）的两端均固定连接有固定块（9），所述基板（1）上设有与固定块（9）对应的插口，所述插口的两侧内壁上均设有滑槽，所述插口内壁上的滑槽内滑动连接有安装块10，所述安装块10的一侧固定连接有卡块11,所述固定块9位于插口内的两侧外壁上均设有与卡块11对应的卡槽,所述安装块10）的两端与插口内壁上的滑槽之间固定连接有弹簧（12），所述第一芯片（2）与第二芯片（3）之间设有黏胶层（13）。

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