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海科(嘉兴)电力科技有限公司于霄恬获国家专利权

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龙图腾网获悉海科(嘉兴)电力科技有限公司申请的专利一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114400257B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210047651.0,技术领域涉及:H10D30/66;该发明授权一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件是由于霄恬设计研发完成,并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件在说明书摘要公布了:本发明公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件,属于半导体制造领域,用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括:外延层,以及外延层的表面排布的若干形状相同、结构相同的元胞;每个元胞均至少包括阱区、源极区域以及高掺杂P型区域;阱区的周围环绕有结势垒肖特基区域,结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域以及若干个肖特基区域;阱区与相邻的环状高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域;肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度,JFET区域的宽度以及每层环状高掺杂P型区域的间距均在预设区间内取值。

本发明授权一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件在权利要求书中公布了:1.一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件,其特征在于,所述MOSFET器件包括:外延层,以及所述外延层的表面排布的若干形状相同、结构相同的元胞;所述外延层为N型半导体;每个所述元胞均包括阱区、源极区域以及高掺杂P型区域,所述阱区为P型半导体,所述源极区域为N型半导体;所述源极区域位于所述阱区内部,所述源极区域环绕所述高掺杂P型区域;其中,所述源极区域的离子注入深度小于所述阱区的离子注入深度,所述高掺杂P型区域与所述阱区相接触;所述阱区与所述外延层形成第一PN结,所述阱区与所述源极区域形成第二PN结;所述阱区周围环绕有结势垒肖特基区域,所述结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域,以及每层所述环状高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域;所述多层环状高掺杂P型区域与所述高掺杂P型区域的离子掺杂浓度相同;所述环状高掺杂P型区域与所述外延层形成第三PN结;所述阱区与相邻的所述环状高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域;所述肖特基区域以及所述JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于所述外延层的离子掺杂浓度,所述JFET区域的宽度以及每层环状高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人海科(嘉兴)电力科技有限公司,其通讯地址为:314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3339号(嘉兴科技城)8号楼201-12;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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