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西安电子科技大学马晓华获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114530496B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210013552.0,技术领域涉及:H10D64/62;该发明授权一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法是由马晓华;王博麟;张濛;牛雪锐;杨凌;侯斌;武玫;宓珉瀚;郝跃设计研发完成,并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基P沟道器件及其制备方法,包括:由下至上依次设置的第一Si衬底层、第一保护层、P‑GaN层、P‑InxGaN层、AlyGaN势垒层和第二保护层;AlyGaN势垒层、P‑InxGaN层和P‑GaN层形成N面的异质结结构;P‑InxGaN层的厚度为10nm~20nm;其中,0.05≤x≤0.1;AlyGaN势垒层上开设有与第一凹槽相对的第二凹槽;AlyGaN势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极;其中,0.2≤y≤0.3;第二凹槽上设置有栅电极;源电极、漏电极和栅电极的上方分别沉积有贯穿第二保护层的互联金属。本发明使用N面的异质结材料制备的P沟道器件可以避免Ga面情况下栅下沉积绝缘介质引入的界面电荷对空穴迁移率的影响,避免了空穴迁移率的降低,改善器件的欧姆接触特性,从而改善了器件的性能。

本发明授权一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基P沟道器件,其特征在于,包括:由下至上依次设置的第一Si衬底层10、第一保护层20、P-GaN层30、P-InxGaN层40、AlyGaN势垒层50和第二保护层60;所述AlyGaN势垒层50、所述P-InxGaN层40和所述P-GaN层30形成N面的异质结结构;所述P-GaN层30上开设有第一凹槽31;所述第一凹槽31,槽口朝向所述第一保护层20,且填充有所述第一保护层20;所述P-InxGaN层40掺杂Mg,且所述P-InxGaN层的厚度为10nm~20nm;其中,0.05≤x≤0.1;所述AlyGaN势垒层50上开设有与所述第一凹槽31相对的第二凹槽51;所述AlyGaN势垒层50的两侧分别沉积有源电极81和漏电极82;其中,0.2≤y≤0.3;所述源电极81和所述漏电极82均延伸至所述第二保护层60内;所述第二凹槽51,槽口朝向与所述第一凹槽31的槽口朝向相反;所述第二凹槽51上设置有栅电极70;所述栅电极70延伸至所述第二保护层60内;所述源电极81、所述漏电极82和所述栅电极70的上方分别沉积有贯穿所述第二保护层60的互联金属90。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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