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龙图腾网获悉奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请的专利具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054873.4，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法是由T·施瓦茨;S·威特曼;A·普洛斯尔设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法在说明书摘要公布了：说明了一种装置（1），具有多个光电子半导体器件（10）、耦合输出元件（20）、电绝缘的绝缘层（30）和电连接结构（40）。所述半导体器件（10）布置在一个共同的平面中，并且每个半导体器件（10）都由侧面（10A）横向界定。所述半导体器件（10）分别具有半导体主体（100），具有被设置用于发射电磁辐射的活性区域（2000），用于耦合输出所述电磁辐射的辐射出射侧（100A），与所述辐射出射侧（100A）相对的背侧（100B），和布置在所述背侧（100B）上的接触结构（101）。所述绝缘层（30）布置在相邻半导体器件（10）的侧面（10A）之间，并且被实施为吸收或反射所述活性区域（2000）中产生的辐射。所述耦合输出元件（20）布置在所述半导体器件（10）的辐射出射侧（100A），所述电连接结构（40）布置在所述半导体器件（10）的面向所述背侧（100B）的侧上，并与所述接触结构（101）导电连接。还说明了一种用于制造装置（1）的方法。

本发明授权具有发射电磁辐射的半导体器件的装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子半导体器件的装置1，具有多个光电子半导体器件10、耦合输出元件20、电绝缘的绝缘层30和电连接结构40，其中-所述半导体器件10布置在一个共同的平面中，并且每个半导体器件10都由侧面10A横向界定，-所述半导体器件10分别具有--半导体本体100，具有被设置用于发射电磁辐射的活性区域2000，--用于耦合输出所述电磁辐射的辐射出射侧100A，--与所述辐射出射侧100A相对的背侧100B，和--布置在所述背侧100B上的接触结构101，-所述绝缘层30布置在相邻半导体器件10的侧面10A之间，并且被实施为吸收或反射所述活性区域2000中产生的辐射，-所述耦合输出元件20布置在所述半导体器件10的辐射出射侧100A，-所述电连接结构40布置在所述半导体器件10的面向所述背侧100B的侧上，并与所述接触结构101导电连接，并且-所述连接结构40包括粘附层400、生长层401和连接层402，-所述粘附层400布置在面向所述接触结构101的侧上并且由以下材料之一形成：Ti、Cr、Ni、Pd，-所述生长层401布置在所述粘附层400与所述连接层402之间，以及-所述耦合输出元件20在其横向延伸内由一系列辐射可透过区域210和吸收区域220形成，其中向每个光电子半导体器件10分配一个辐射可透过区域210。

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