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龙图腾网获悉量子运动科技有限公司申请的专利用于量子信息处理器的处理器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080036335.2，技术领域涉及：H10D48/36；该发明授权用于量子信息处理器的处理器元件是由迈克尔·福加蒂;马修·肖曼斯;约翰·莫顿设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于量子信息处理器的处理器元件在说明书摘要公布了：本文中描述了处理器元件。处理器元件包括硅层。处理器元件进一步包括一个或更多个导电电极。处理器元件进一步包括具有非均匀厚度的介电材料，介电材料至少设置在硅层和一个或更多个导电电极之间。在使用中，当向导电电极中的一个或更多个导电电极施加偏压电势时，一个或更多个导电电极的定位和介电材料的非均匀厚度一起限定电场分布，以在硅层和介电层之间的界面处诱导量子点。本文还描述了方法。

本发明授权用于量子信息处理器的处理器元件在权利要求书中公布了：1.一种处理器元件，所述处理器元件包括：硅层；第一导电电极；第二导电电极；源电极；漏电极；以及介电材料，所述介电材料包括第一薄介电材料区域、第二薄介电材料区域、第三薄介电材料区域、第四薄介电材料区域和一个或更多个厚介电材料区域，使得所述介电材料在所述硅层与所述第一导电电极以及第二导电电极之间的区域中具有非均匀厚度，所述介电材料至少设置在所述硅层与所述第一导电电极以及第二导电电极之间；其中，第一导电电极覆盖所述第一薄介电材料区域、所述第二薄介电材料区域、所述第三薄介电材料区域和厚介电材料区域，其中，第一厚介电材料区域横向分离所述第一薄介电材料区域和所述第三薄介电材料区域，第二厚介电材料区域横向分离所述第三薄介电材料区域和所述第二薄介电材料区域；其中，所述第二导电电极覆盖所述第四薄介电材料区域和厚介电材料区域，其中，第三厚介电材料区域横向分离所述第一导电电极和所述第二导电电极；其中，所述处理器元件被配置成使得当向所述第一导电电极施加偏压电势时，所述第一导电电极的定位和所述介电材料的所述非均匀厚度一起限定电场分布，以在所述硅层与所述介电材料之间的界面处的所述第一薄介电材料区域、所述第二薄介电材料区域、所述第三薄介电材料区域中的每个区域处诱导一个或更多个电荷载流子；其中，在所述硅层与所述第三薄介电材料区域的界面处诱导的所述一个或更多个电荷载流子是量子点，其中，所述量子点通过量子隧穿势垒与所述源电极和或所述漏电极分离，并且其中，诱导的所述量子点提供单电子晶体管SET岛；其中，所述处理器元件被配置成使得当向所述第二导电电极施加偏压电势时，所述第二导电电极的定位和所述介电材料的所述非均匀厚度一起限定电场分布，以在所述硅层与所述第四薄介电材料区域的界面处诱导第二量子点；其中，向所述第一导电电极和所述第二导电电极施加偏压电势，结合横向分离所述第一导电电极和第二导电电极的厚介电材料区域，导致所述量子点和所述第二量子点之间的量子隧穿势垒。

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