福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器件与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366983.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件与其制作方法是由张钦福设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件与其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储器件与其制作方法。该半导体存储器件包括：一半导体基板；字线结构，位在所述半导体基板中并往第一方向延伸；位线结构，位在所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间，其中所述间隔物结构具有一上半部位与一下半部位，所述上半部位的宽度大于所述下半部位，且所述间隔物结构的内部具有空隙；以及接触结构，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接。
本发明授权半导体存储器件与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括：一半导体基板；字线结构，位于所述半导体基板中并往第一方向延伸；位线结构，位于所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；间隔物结构，位于所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间，其中所述间隔物结构具有一上半部位与一下半部位，所述上半部位的宽度大于所述下半部位的宽度，所述间隔物结构具有一外层与一内层，所述外层的最底部低于所述内层的最底部；以及存储节点接触件，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接，其中，所述位线结构从下而上依序包含堆叠的多晶硅图案、金属图案和硬掩模图案，所述间隔物结构的所述上半部位与所述下半部位的截面曲线为非平滑。
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