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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112002757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010272045.X，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件及其制造方法是由曹荣大;张星旭;郑秀珍;金正泽;李始炯设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底上的半导体图案，所述半导体图案在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且在竖直方向上重叠；所述衬底和所述半导体图案上的栅结构，所述栅结构的至少一部分在竖直方向上形成于所述半导体图案之间；第一间隔物，覆盖所述栅结构的相对侧壁中的每一个，所述侧壁在第一方向上彼此相对；第一半导体层，覆盖所述半导体图案在所述第一方向上的侧壁以及所述第一间隔物和所述衬底的表面，所述第一半导体层具有第一杂质浓度；以及所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度，其中，所述第一间隔物的至少一部分在每个半导体图案的边缘处接触所述半导体图案的上表面和下表面，以及其中，对于每个半导体图案，所述半导体图案与所述第一间隔物接触的边缘部分在竖直方向上的第一厚度小于所述半导体图案不与所述第一间隔物接触的部分在竖直方向上的第二厚度，其中，在所述第一间隔物上以及在所述半导体图案在所述第一方向上的侧壁上形成的所述第一半导体层具有第三厚度，并且在所述衬底的表面上形成的所述第一半导体层具有大于所述第三厚度的第四厚度。

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