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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利一种低厚度3D堆叠封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111341681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010253983.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种低厚度3D堆叠封装结构及其制备方法是由蔡琨辰;崔锐斌;刘春平设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低厚度3D堆叠封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低厚度3D堆叠封装结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供载板，于载板上贴覆导电层和阻焊层，对阻焊层开设第一孔位和第二孔位并分别涂覆锡膏；于锡膏处贴装具有双面IO口的第一芯片和导电块，塑封后形成第一塑封层；拆键合并翻转固定，对导电层开孔形成第一重布线层；提供具有单面IO口的第二芯片，将第二芯片贴于第一重布线层远离第一芯片一侧，塑封后形成第二塑封层；分别制作连接第一芯片一侧IO口与导电块的第二重布线层以及连接第二芯片与第一重布线层的第三重布线层，对第二重布线层和第三重布线层塑封并电性引出。本发明可降低低厚度3D堆叠封装结构的封装厚度和导通内阻，缩短物理连接和提高产品良率。

本发明授权一种低厚度3D堆叠封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低厚度3D堆叠封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供一载板，于所述载板沿其厚度方向的一侧依次贴覆导电层和阻焊层，对所述阻焊层进行开孔处理，形成使所述导电层部分外露的第一孔位和第二孔位；S20、于所述第一孔位和所述第二孔位处分别涂覆锡膏；于所述第一孔位对应的锡膏处贴装具有双面IO口的第一芯片以及于所述第二孔位对应的锡膏处贴装导电块，对所述第一芯片和所述导电块进行塑封，形成第一塑封层，在所述第一塑封层上贴装第一铜层；S30、拆键合并翻转固定，对所述导电层开孔处理，形成第一重布线层；S40、提供具有IO口的第二芯片，将所述第二芯片通过绝缘层贴于所述第一重布线层远离所述第一芯片的一侧，对所述第二芯片进行塑封，形成第二塑封层；S50、分别制作连接所述第一芯片背向所述阻焊层一侧的IO口与所述导电块的第二重布线层，以及连接所述第二芯片的IO口与所述第一重布线层的第三重布线层，对所述第二重布线层和所述第三重布线层进行塑封并电性引出。

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