恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司黄晗获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利天线封装结构及封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112713140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911021314.9,技术领域涉及:H01L23/66;该发明授权天线封装结构及封装方法是由黄晗;林正忠;吴政达;陈彦亨设计研发完成,并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本天线封装结构及封装方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种天线封装结构及封装方法,封装方法包括:提供支撑基底,形成重新布线层、第一天线层、金属馈线柱、封装层以及第二天线层,提供半导体芯片并将其接合在第二天线层表面,至少在半导体芯片顶部及四周形成围坝点胶保护层。本发明对晶圆级封装增加围坝点胶工艺,提高芯片的稳定性,进一步通过底部填充工艺形成底部填充层,对芯片进行双重保护,可以有效减少封装工艺流程,将所有主动组件或被动组件集成在一个封装结构中,可有效缩小封装尺寸,半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构,可有效缩短组件之间传导路径,具有较低的功耗,制程结构整合性高,采用多层天线设置可增强接收信号能力,扩大接收信号频宽。
本发明授权天线封装结构及封装方法在权利要求书中公布了:1.一种天线封装方法,其特征在于,所述封装方法包括步骤: 提供支撑基底,于所述支撑基底上形成临时键合层; 于所述临时键合层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述临时键合层连接的第一面以及与所述第一面相对的第二面; 于所述第二面上形成与所述重新布线层电连接的第一天线层; 于所述重新布线层上形成覆盖所述第一天线层的保护粘附层; 于所述保护粘附层上形成与所述第一天线层电连接的金属馈线柱; 于所述保护粘附层上形成封装层,且封装所述金属馈线柱,并使所述封装层显露所述金属馈线柱的顶面; 于所述封装层上形成与所述金属馈线柱电连接的第二天线层;所述金属馈线柱的数量为多个,多个所述金属馈线柱的布置方式包括:基于所述金属馈线柱与所述第一天线层及所述第二天线层中的至少一者形成电磁屏蔽结构以实现封装结构的电磁屏蔽; 提供至少一个半导体芯片,并将所述半导体芯片接合于所述第二天线层远离所述封装层一侧的表面,所述半导体芯片、所述重新布线层及所述第一天线层和所述第二天线层设置为垂直排列结构; 对各所述半导体芯片进行围坝点胶以形成围坝点胶保护层,所述围坝点胶层至少形成于各所述半导体芯片的顶部及四周。
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