江西兆驰半导体有限公司张星星获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利高出光效率LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301281.2，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权高出光效率LED芯片及其制备方法是由张星星;张亚;张雪;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本高出光效率LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高出光效率LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。制备方法包括：提供外延片；其包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；在外延片上形成透明导电层；刻蚀形成暴露第一半导体层的裸露区域；形成第一电极和第二电极；其中，第一电极形成在裸露区域的第一半导体层上，第二电极形成在第二半导体层上；以硅和铜为靶材，溅射形成第一复合膜；将第一复合膜在含氧气氛中、550~700℃下退火，得到第二复合膜；在第二复合膜上形成氧化硅膜；在第一电极、第二电极所在区域的第二复合膜和氧化硅膜上开孔，以至少部分暴露第一电极、第二电极。实施本发明，可提升LED芯片的光提取效率和可靠性。
本发明授权高出光效率LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高出光效率LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层； 在外延片上形成透明导电层；其中，所述透明导电层形成于所述第二半导体层之上； 刻蚀形成暴露所述第一半导体层的裸露区域； 形成第一电极和第二电极，得到中间体；其中，第一电极形成在所述裸露区域的第一半导体层上，所述第二电极形成在所述透明导电层上； 以硅和铜为靶材，在所述中间体的表面溅射形成第一复合膜；其中，先溅射铜靶材再共溅射铜靶材和硅靶材； 将第一复合膜在含氧气氛中、550~700℃下退火，得到第二复合膜； 在所述第二复合膜上形成氧化硅膜； 在所述第一电极、第二电极所在区域的第二复合膜和氧化硅膜上开孔，以至少部分暴露所述第一电极、第二电极。
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